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| Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS300R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Hochstzulassige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral It value Isolations Prufspannung insulation test voltage tp= 1ms Tc= 80C Tc= 25C tp= 1ms, Tc= 80C VCES IC, nom IC ICRM 1200 300 500 600 V A A A Tc= 25C Ptot 1,45 kW VGES +/- 20 V IF 300 A IFRM 600 A VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125C It 19 kAs RMS, f= 50Hz, t= 1min VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sattigungsspannung collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitat input capacitance Ruckwirkungskapazitat reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VGE= 15V, Tvj= 25C, IC= IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125C, IC= IC,nom VCE= VGE, Tvj= 25C, IC= 12mA VCEsat min. 5 typ. 1,7 2 5,8 max. 2,1 t.b.d. 6,5 V V V VGE(th) VGE= -15V...+15V QG - 2,7 - C f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies 21 nF f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres 0,85 nF VGE= 0V, Tvj= 25C, VCE= 600V ICES - - 5 mA VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C IGES - - 400 nA prepared by: Mark Munzer approved: Martin Hierholzer date of publication: 2001-08-16 revision: 3 Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16 1 (8) Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS300R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter IC= IC, nom, VCC= 600V Einschaltverzogerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 2,4, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 2,4, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= 15V, RG= 2,4, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 2,4, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V Abschaltverzogerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 2,4, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 2,4, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Modulindiktivitat stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip Tc= 25C VGE= 15V, RG= 2,4, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 2,4, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V, L= 80nH VGE= 15V, RG= 2,4, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V, L= 80nH VGE= 15V, RG= 2,4, Tvj= 125C tP 10sec, VGE 15V, TVj 125C VCC= 900V, VCEmax= VCES - LCE *di/dt Eon tf 130 160 22 ns ns mJ td,off 550 650 ns ns tr 90 95 ns ns td,on 250 300 ns ns min. typ. max. Eoff - 43 - mJ ISC - 1200 - A LCE - 20 - nH RCC/EE - 1,1 - m Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage Ruckstromspitze peak reverse recovery current IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25C IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125C IF=IC,nom, -diF/dt= 3500A/s VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125C Sperrverzogerungsladung recoverred charge IF=IC,nom, -diF/dt= 3500A/s VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125C Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF=IC,nom, -diF/dt= 3500A/s VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125C Erec 14 26 mJ mJ Qr 30 57 Q Q IRM 210 270 A A VF 1,65 1,65 2,1 t.b.d. V V 2 (8) Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS300R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / characteristic values NTC-Widerstand / NTC-thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R100 deviation of R100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value Tc= 25C R25 R/R min. typ. 5 max. k Tc= 100C, R100= 493 -5 - 5 % Tc= 25C P25 - - 20 mW R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 - 3375 - K Thermische Eigenschaften / thermal properties Innerer Warmewiderstand; DC thermal resistance, juncton to case; DC Ubergangs Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemp. maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor Wechelr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter pro Modul / per module Paste= 1W/m*K / grease= 1W/m*K RthJC 0,005 0,085 0,15 K/W K/W K/W RthCK Tvjmax - - 150 C Tvjop -40 - 125 C Tstg -40 - 125 C Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlusse terminal connection torque Gewicht weight Schraube M5 screw M5 Schraube M6 screw M6 M 3 Al2O3 225 - 6 Nm M 3 - 6 Nm G 800 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. 3 (8) Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS300R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Ausgangskennlinie (typisch) output characteristic (typical) 600 Tvj = 25C Tvj = 125C IC= f(VCE) VGE= 15V 500 400 IC [A] 300 200 100 0 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 3,0 3,5 Ausgangskennlinienfeld (typisch) output characteristic (typical) 600 VGE=19V VGE=17V VGE=15V VGE=13V VGE=11V VGE=9V IC= f(VCE) Tvj= 125C 500 400 IC [A] 300 200 100 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 4 (8) Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS300R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Ubertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) 600 Tj=25C IC= f(VGE) VCE= 20V 500 Tj=125C 400 IC [A] 300 200 100 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 13 Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) forward caracteristic of inverse diode (typical) IF= f(VF) 600 500 400 IF [A] 300 200 100 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 Tvj = 25C Tvj = 125C 5 (8) Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS300R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 90 80 70 60 E [mJ] 50 40 30 20 10 0 0 100 200 Eon Eoff Erec Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) VGE=15V, Rgon=Rgoff=2,4, VCE=600V, Tj=125C 300 IC [A] 400 500 600 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 140 Eon Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=15V, IC=300A, VCE=600V, Tj=125C 120 100 E [mJ] 80 60 40 20 0 0 5 Eoff Erec 10 15 RG [] 20 25 30 6 (8) Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS300R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Transienter Warmewiderstand Transient thermal impedance 1 ZthJC = f (t) ZthJC [K/W] 0,1 0,01 Zth : IGBT Zth : Diode 0,001 0,001 0,01 t [s] 0,1 1 i ri [K/kW] : IGBT i [s] : IGBT ri [K/kW] : Diode i [s] : Diode 1 35,73 6,499E-02 63,02 6,499E-02 2 42,82 2,601E-02 75,63 2,601E-02 3 4,84 2,364E-03 8,52 2,364E-03 4 1,61 1,187E-05 2,83 1,187E-05 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 700 600 500 IC [A] 400 IC,Chip IC,Chip VGE=15V, Tj=125C 300 200 100 0 0 200 400 600 VCE [V] Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16 800 1000 1200 1400 7 (8) Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS300R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Gehausemae / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8 (8) Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16 |
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